RQ6E050ATTCR 与 BSL305SPE H6327 区别
| 型号 | RQ6E050ATTCR | BSL305SPE H6327 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-RQ6E050ATTCR | A-BSL305SPE H6327 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 27mΩ@5A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W(Ta) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | SOT-23-6,TSOT-23-6 | PG-TSOP6-6 |
| 连续漏极电流Id | 5A(Ta) | - |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 940pF @ 15V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20.8nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 11 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RQ6E050ATTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 5A(Ta) ±20V 1.25W(Ta) 27mΩ@5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 11 | 当前型号 |
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BSL305SPE H6327 | Infineon | 小信号MOSFET |
PG-TSOP6-6 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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